كشفت شركتا إنتل وميكرون Micron الثلاثاء النقاب عن تقنية مبتكرة للذواكر، أطلقتا عليها اسم 3D XPoint (تُقرأ: 3D CrossPoint “ثري دي كروس بوينت”)، وقالتا إنها ستغير صناعة الذواكر جذريا.
وأوضحت الشركتان أن “ثري دي كروس بوينت” صنف جديد من الذواكر التي لديها القابلية للاستخدام كذاكرة وصول عشوائي “رام” RAM، وذاكرة تخزين داخلية SSD، معا.
وتزعم إنتل وميكرون أن التقنية “الثورية” تعد اختراقا علميا في مجال تقنيات معالجة الذواكر، فهي الأولى الجديدة منذ إطلاق تقنية الذواكر الفلاشية “ناند” NAND منذ نحو 25 عاما.
وتقول الشركتان إن الذواكر الجديدة تمتاز بأنها سريعة ومتينة للغاية، فهي أسرع بألف مرة – في كل من سرعات القراءة والكتابة – ثم إن لها القدرة على التحمل أكثر من ذاكرة الفلاش NAND المستخدمة حاليا في “أقراص التخزين الساكنة” SSD.
وتضيف إنتل وميكرون أن ذواكر “ثري دي كروس بوينت” تمتاز بأنها أكثف بعشرة أضعاف، مما يؤدي إلى المزيد من سعة التخزين في نفس الحيز المادي، فيما تحافظ على نفس فعالية وتوافرية ذواكر NAND الحالية.
