كشفت شركة سامسونج النقاب عن شريحة ذاكرة جديدة تزعم أنها تتميز بـ"السعة الأعلى حتى الآن" لتطبيقات الذكاء الاصطناعي.

ويقال إن الشريحة التي يطلق عليها HBM3E 12H، هي أول ذاكرة وصول عشوائي HBM3E DRAM مكونة من 12 حزمة، والتي تعد نوعا من ذاكرة أشباه الموصلات المناسبة لتخزين كميات كبيرة من البيانات بتكلفة منخفضة نسبيا.

وقال يونجتشول باي، نائب الرئيس التنفيذي لتخطيط منتجات الذاكرة في سامسونغ للإلكترونيات: "يشكل حل الذاكرة الجديد هذا جزءا من توجهنا نحو تطوير التقنيات الأساسية لـ HBM (ذاكرة النطاق الترددي) وتوفير الريادة التكنولوجية لسوق HBM عالية السعة في عصر الذكاء الاصطناعي".

وفي معرض CES 2024، أعلن هان جين مان، نائب الرئيس التنفيذي المشرف على أعمال سامسونج في مجال أشباه الموصلات في الولايات المتحدة، أن سامسونج تخطط لزيادة إنتاج شرائح HBM بشكل كبير.

وتقول سامسونج إن HBM3E 12H توفر نطاقا تردديا غير مسبوق يصل إلى 1280 جيجابايت (1.25 تيرابايت) في الثانية، وتضع معيارا صناعيا جديدا بسعة 36 جيجابايت.

ويأتي ذلك بعد يوم واحد من إعلان منافستها Micron عن إنتاج كميات كبيرة من 24GB 8L HBM3E عالية السرعة، وتستخدم في أجهزة الكمبيوتر لأغراض مثل تطبيقات الذكاء الاصطناعي والرسومات فائقة التفصيل.

وتقول Micron إن ذاكرة HBM3E يمكنها نقل أكثر من 1.2 تيرابايت من البيانات في كل ثانية، أي ما يشبه عرض النطاق الترددي الذي يبلغ 1.25 تيرابايت في الثانية من سامسونج.

وتمتلك Micron حاليا حصة متواضعة في سوق HBM العالمي، لذا تستثمر الشركة بكثافة في منتج الجيل التالي، HBM3e، للحد من هذه الفجوة بشكل كبير.

الجدير بالذكر أن سامسونج وMicron وكذلك SK Hynix، تدخل قائمة أفضل الشركات في تصنيع شرائح DRAM في جميع أنحاء العالم، والتي تستخدم في العديد من الأدوات مثل الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر. وتعد تقنية ذاكرة متقدمة تستخدم في أجهزة أشباه الموصلات، خاصة في وحدات معالجة الرسومات ووحدات المعالجة المركزية وغيرها من تطبيقات الحوسبة عالية الأداء.